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石英晶振行業(yè)常用名詞解釋

發(fā)表時(shí)間:2022/03/10 閱讀量:598 來源: 晶鴻興科技

1、標(biāo)稱頻率

指正常匹配振動(dòng)電路下,振動(dòng)電路輸出的頻率值。表明為MHz或KHz。


2、調(diào)整頻差

目標(biāo)稱頻率在必定溫度(25℃)下的答應(yīng)差錯(cuò),表明為百萬分之幾(ppm)。


3、溫度頻差

目標(biāo)稱頻率在作業(yè)溫度規(guī)模內(nèi)的答應(yīng)差錯(cuò)。


4、作業(yè)溫度規(guī)模

石英晶體元器件在規(guī)則的差錯(cuò)內(nèi)作業(yè)的溫度規(guī)模。


5、儲(chǔ)存溫度規(guī)模

晶體在非作業(yè)狀態(tài)下保持規(guī)范特性的溫度規(guī)模。


6、負(fù)載電容

①任何外部電容一旦與石英晶體元器件串聯(lián),即會(huì)成為其諧振頻率一個(gè)決定因素。

負(fù)載電容改變時(shí),頻率也會(huì)隨之改動(dòng)。因此,在電路中使用時(shí),經(jīng)常會(huì)以規(guī)范負(fù)載電容來微調(diào)頻率至期望值。

②負(fù)載電容系列有:8pf、10pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。

③CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+CsCg和Cd為晶體兩管腳所接電容值。Cs為線路,雜散電容值,一般為2~6pf。


7、靜態(tài)電容

主要來自以石英芯片為介電資料與兩個(gè)電極所形成的電容為主,別的一小部分來自連接石英芯片與連接線的導(dǎo)電接著資料之間的電容和封裝外殼的電容。


8、切開方法

依據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域及作業(yè)溫度需求,發(fā)生了許多不同的石英切開視點(diǎn)種類。例如AT-,BT-,CT-,DT-,NT,GT…..等不同的切開板片。不同的切開方向的板片具有不同的彈性常數(shù)張量,不同的壓電常數(shù)張量及不同的介電常數(shù)張量。溫頻特性與切開角有關(guān),每個(gè)石英晶體具有結(jié)晶軸,晶體切開是按其振動(dòng)形式沿垂直于結(jié)晶軸的視點(diǎn)切開的。


9、振動(dòng)形式

不同的石英切開視點(diǎn)及不同電極形狀的電場(chǎng)效應(yīng),石英芯片展示了各種不同的振動(dòng)形式,以經(jīng)常發(fā)生的振動(dòng)形式能夠分為曲折形式,伸縮形式,面切變形式和厚度切變振動(dòng)形式。


10、等效電阻

等效電阻(ESR,Rr,R1),又稱諧振電阻。在規(guī)則條件下,石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。


11、鼓勵(lì)功率電平

晶體作業(yè)時(shí)所消耗功率的表征值。一般來講,AT切晶體鼓勵(lì)電平的增大,其頻率改變是正的。鼓勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振動(dòng),嚴(yán)重?zé)犷l漂,過應(yīng)力頻漂及電阻驟變。當(dāng)鼓勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、作業(yè)不良及目標(biāo)的不穩(wěn)定。


12、鼓勵(lì)電平相關(guān)性

又稱鼓勵(lì)電平依賴性,為晶體元件諧振電阻隨鼓勵(lì)電平條件改變的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的鼓勵(lì)電平改動(dòng)時(shí),其諧振電阻也隨之改變,該改變?cè)谝话闱闆r下有必定規(guī)律,可用兩個(gè)鼓勵(lì)電平所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表明,其表達(dá)式為:DLD=Rr1/Rr2(Rr1-為較低鼓勵(lì)電平常的電阻,Rr2-為較高鼓勵(lì)電平常的電阻)。


13、絕緣電阻

各絕緣引出端之間或引出端與外殼之間的電阻。


14、基頻

在振動(dòng)形式最低階次的振動(dòng)頻率。


15、泛音

晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要差異。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。


16、等效電路

石英晶體諧振器的振動(dòng)實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng),能夠被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)化性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測(cè)出。這個(gè)回路包括L1、C1,一起C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路,與彈性振動(dòng)有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。


17、負(fù)性阻抗

指從石英晶體共振子的二個(gè)端子往振動(dòng)線路看過去,振動(dòng)線路在振動(dòng)頻率時(shí)的阻抗特性值。負(fù)性阻抗并不是石英振動(dòng)子的產(chǎn)品參數(shù),卻是振動(dòng)線路的一項(xiàng)重要特性參數(shù)。為進(jìn)步振動(dòng)電路中的起振條件,須進(jìn)步振動(dòng)電路中的負(fù)阻抗,而電路中沒有足夠的負(fù)阻抗差錯(cuò),則較難起振。在振動(dòng)電路中負(fù)阻抗的值應(yīng)到達(dá)諧振阻抗的5-10倍。


18、年老化率

以年為衡量單位,在規(guī)則條件下,晶體作業(yè)頻率隨時(shí)刻而答應(yīng)的相對(duì)改變。頻率改變最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的榜首個(gè)月,之后頻率隨時(shí)刻的改變就會(huì)削減。導(dǎo)致此老化的原因很多,如:密封特性和完整性、制造工藝、資料類型、作業(yè)溫度和頻率。